三星电子1c DRAM芯片良率突破80% 进入稳定生产阶段

　　【CNMO科技消息】据韩媒消息，三星电子在10纳米级第6代DRAM“1c”生产上取得重要进展，其良率已突破80%，正式进入稳定生产阶段，这预计将助力其提升技术竞争力并改善收益。

　　据悉，三星电子内部已确认1c DRAM良率达到80%，这是在高温环境（热测试）下取得的最佳良率成绩。此前在去年第四季度，1c DRAM良率还处于60—70%的水平，如今已成功提升。

　　良率是指生产的产品中合格品的比重，80%的良率意味着生产100个DRAM，其中有80个是合格品。通常，DRAM的稳定良率被认为在80—90%，达到这一水平才能最大化DRAM的收益。有业内人士透露，预计到5月左右，1c DRAM良率将达到90%左右，凭借高良率有望大幅提升半导体收益。

　　近期DRAM价格持续上涨，营业利润大幅增加，三星电子凭借稳定的良率有望进一步提升利润率。不仅如此，以1c DRAM为基础制造的下一代高带宽内存（HBM）“HBM4”的良率也得到了改善，目前三星电子HBM4的良率已接近60%，去年第四季度还处于50%的水平。

　　1c DRAM是三星电子的战略产品，是拥有11—12纳米电路线宽的DRAM。三星电子DS部门副会长全英贤曾亲自指挥设计改进工作，旨在确保DRAM的核心竞争力，同时提升堆叠DRAM制成的HBM能力。